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セミナー

会場:東京・千代田区   主催・企画元:(株)トリケップス


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※共催セミナーの為、本セミナーでのポイント利用はできませんが1%ポイント付与がございます
※請求書・受講票は(株)トリケップスより送付いたします


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テーマ
パワーデバイスの最新開発動向と今後の展望
セミナー番号
T1510

講 師
 

独立行政法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 研究チーム長 岩室憲幸 氏
会 場
オーム ビル 【東京・千代田区神田錦町】
日 時
2011年5月25日(水) 10:30-16:30
聴講料
A:45,150円[税込み]/1口(1名)

B:57,750円[税込み]/1口(2名)または1口(3名)

※共催セミナーのためポイントによる割引利用はご遠慮ください

※お支払は原則、銀行振込にてお願い致します


1 パワーデバイスの現状
 パワーデバイスの市場動向、市場要求
 
2 IGBTの進展
 2.1 なぜIGBTがパワーデバイスの主役になったのか
 2.2 IGBT開発の歴史
 2.3 IGBT最新技術動向
 2.4 次世代IGBTについて
   RB-IGBT,RC-IGBTとは何か?
 
3 SiCパワーデバイスの現状と課題
 3.1 なぜSiCが注目されているのか
   SiCの特徴は? MOSFETがいいのかIGBTがいいのか?
 3.2 SiCパワーデバイスの開発(最近のトピックスから)
   最新学会発表論文、新聞記事の紹介
 3.3 SiCモジュールの課題
   実用化を妨げる問題は何か?
 
4 GaNパワーデバイスの現状と課題
 4.1 なぜGaNが注目されているのか
 4.2 GaNパワーデバイスの開発(最近のトピックスから)
   最新学会発表論文、新聞記事の紹介
 
5 まとめ

【5月25日】パワーデバイスの最新開発動向と今後の展望
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商品コード: T1510

【5月25日】パワーデバイスの最新開発動向と今後の展望

付与ポイント(会員のみ): 430~550 Pt
≪ポイント利用例≫
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  ¥54000(消費税8%込)-5000pt ⇒ ¥49000(消費税8%込)のお支払いとなります。

トリケップス1口3名
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