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テキスト

主催・企画元:(株)&Tech
※本セミナーは、2017年7月26日に実施したセミナー資料です

『次世代半導体ウェハにおける
   各種ダイシング技術と低ダメージ化/テープ技術への要望』
  ~レーザー・プラズマダイシング事例・粘着テープの要求・MEMS加工~


★高速ダイシング・チッピングフリー・発塵レス加工・ダイシングテープの特性制御!
★半導体次世代ウェハの切り方であるダイシングの最新技術!
★新しい素材をいかにダメージ無く加工するか?
★製造時の加工のカギを握る粘着テープをうまく使うための知識も学べます!

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テキスト概要


商品番号
AT20170703 「半導体ダイシング」
形式
パワーポイント資料形式

著者
 
第1部 (公財)レーザー技術総合研究所 レーザープロセス研究チーム 主席研究員 藤田 雅之 氏

第2部 パナソニックスマートファクトリーソリューションズ(株) 電子デバイスプロセスビジネスユニット プロセス機器開発部 工法開発課 針貝 篤史 氏
価格

1冊につき30,240円(税込)→ 8/30まで17,280円(税込)


第1部 レーザーダイシングの開発と低ダメージ化・応用展開

講師:(公財)レーザー技術総合研究所 レーザープロセス研究チーム 主席研究員 藤田 雅之 氏

【講演主旨】
 レーザーを用いてMEMSの代表的な構造であるシリコン/ガラス接合体の2層構造試料を3mm角のチップに割断した結果を報告する。光学特性が異なる2種類の材料が貼りあわされた試料を、なるべく安価なレーザーでダイシングすることを目標として基礎データを取得した。本研究で行ったレーザーダイシングは2つのプロセスで構成されている。初めに、試料に対して透過性のあるパルスレーザーをウェハ内部に集光しクラックを形成すし、レーザーを走査させることにより内部クラックをつないでライン状にする。次に、外部ストレスを加え内部クラック層に沿って割断を行う。外部ストレスには、CO2レーザーによる熱応力、ブレードによる機械的応力の2種類を用いた。

【プログラム】
1.パルスレーザー加工の基礎
 1-1 レーザー光の吸収メカニズム
 1-2 レーザーダイシングへの要求と課題

2.ウェハの内部加工
 2-1 シリコンウェハの内部加工
 2-2 ガラスウェハの内部加工
 2-3 多層ウェハの内部加工
 2-4 チップへの分割




第2部 ダメージレスでチップを切り出すことが可能なプラズマダイシングの開発

講師: パナソニックスマートファクトリーソリューションズ(株) 電子デバイスプロセスビジネスユニット プロセス機器開発部 工法開発課 針貝 篤史 氏

【講演趣旨】
 スマートフォンやウエアラブルデバイスなど端末の小型化と同時に大容量化・多機能化が求められるが、その内部には非常に小型で薄型化が進んだ半導体デバイスが多数使用されている。今後更なる小型薄型化を支える技術としてダメージレスでの加工が可能で、小チップにおいても高い生産性が実現できるプラズマダイシング技術が注目されるようになった。本公演では、当社が開発したプラズマダイシング技術の最新状況について紹介する

【プログラム】
1. プラズマダイシング技術の基礎

2 プラズマダイシング技術の特長

3. 各種ダイシング工法との比較

4. 適用アプリケーションと今後の展開

【AT20170703 技術テキスト】『次世代半導体ウェハにおける各種ダイシング技術と低ダメージ化/テープ技術への要望』
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商品コード: AT20170703

【AT20170703 技術テキスト】『次世代半導体ウェハにおける各種ダイシング技術と低ダメージ化/テープ技術への要望』

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